Opis
Dioda laserowa F- o mocy 20 W, 808 nm
Funkcja:
- Obiektyw FAC: opcjonalny
- Moc wyjściowa: 20 W
- Wysoka niezawodność
Aplikacja:
- Badania naukowe
- Estetyka medyczna
- Znalezienie zasięgu
Nasz produkt to chip półprzewodnikowy wyprodukowany w Niemczech, charakteryzujący się wysoką niezawodnością i powierzchnią charakteryzującą się wyjątkową jasnością. W rygorystycznych testach wykazał doskonałą stabilność i odporność na trudne warunki środowiskowe. Dla konsumentów oznacza to produkt, który jest zarówno-wydajny, jak i idealny do różnych zastosowań.
Dane techniczne:
Pozycja nr:FM808DL20
| Optyczny | |
| Środkowa długość fali | 808nm |
| Tolerancja długości fali | ±10nm |
| Moc wyjściowa |
20W |
| Obiektyw FAC | Fakultatywny |
| Szybka oś FWHM | 40 stopni |
| Wolna oś FWHM | 12 deg |
| Szerokość emitera | 400um |
| Elektryczny | |
| Lop prądu roboczego | 25A |
| Próg prądu Lth | 3A |
| Napięcie robocze Vop | 2V |
| Termistor | |
| Temperatura testowa | 25 stopni |
| Temperatura przechowywania | -40 ~ 80 stopni |
| Współczynnik temperaturowy długości fali | 0,35 nm/stopień |
Rysunek:
Popularne Tagi: Dioda laserowa o mocy 20 W, 808 nm, z mocowaniem F, dostawcy, producenci Chiny, fabryki, hurtownia, wyprodukowane w Chinach