Półprzewodnikowe instrumenty laserowe

Półprzewodnikowe urządzenie laserowe jest do konieczności materiału półprzewodnikowego materiału roboczego i produkowane laser urządzeń.. jego zasada pracy jest poprzez moszcz sposób zachęty, w półprzewodnikowym materiale puszki z (przewodnik z i cena z) Zhijian, lub półprzewodnikowy materiał może z i zanieczyszczeń (przez głównego lub dawcy) poziom Zhijian, osiągnięte nie równowagi nośnik cząstek numer odwrotnej, dang w cząstek numer odwrotny stan dużych elektronicznych i otwór kompozytu Shi, będzie produkowany przez inspirowane roli strzału. Zachęty istnieją trzy główne rodzaje laserów półprzewodnikowych, a mianowicie wtrysk, pompa i wysokoenergetyczne wiązki elektronów wzbudzenie światła. Wtryskowa dioda laserowa jest zazwyczaj wykonana z arsenku galu (GaAs), siarczku kadmu (CdS), fosforku indu (InP), siarczku cynku (ZnS) wykonanego z materiałów takich jak dioda złącza półprzewodnikowego, wzdłuż bodźców do przodu, stymulowały emisję w regionie płaszczyzny. Optycznie pompowane lasery półprzewodnikowe, ogólne zastosowanie pojedynczych kryształów półprzewodnikowych typu n lub p (takich jak GaAS, InAs, InSb), z innym światłem laserowym z zachęty pompy laserowej. wysokiej energii wiązki elektronów wzbudzenie Laser Semiconductor, Ogólne jest również używany n typu lub p typu półprzewodników pojedynczych kryształów (takich jak PbS, CdS, ZhO) materiał roboczy, poprzez zewnętrzne wtrysk wysokiej energii elektronów wiązki wzbudzenia. Półprzewodnikowe urządzenie laserowe, wydajność jest lepsza, jest szeroko stosowanym dwuelektryczny wtryskiem GaAs heterostructure lasery diodowe.